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SQJ461EP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
I D = 14.4 A
100
1.7
1.4
V GS = 10 V
10
1
T J = 150 °C
1.1
0.8
0.5
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.10
0.08
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1.1
0.8
0.5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
I D = 1 mA
0.04
0.02
0.00
T J = 25 °C
T J = 150 °C
0.2
- 0.1
- 0.4
0
2 4 6 8
10
- 50
- 25
0
25 50 75 100 125
150
175
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 60
I D = 1 mA
- 63
- 66
- 69
- 72
- 75
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
S11-2288-Rev. E, 28-Nov-11
4
Document Number: 65541
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